[1] 單結(jié)管即單結(jié)晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)歐姆電極的負(fù)阻半導(dǎo)體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結(jié)晶體管。

　　[2] 單結(jié)晶體管可分為N型基極單結(jié)管和P型基極單結(jié)管兩大類。單結(jié)晶體管的文字符號(hào)為“VT”，圖形符號(hào)如圖所示。

　　[3] 單結(jié)晶體管的主要參數(shù)有：① 分壓比η，指單結(jié)晶體管發(fā)射極E至第一基極B1間的電壓(不包括PN結(jié)管壓降)在兩基極間電壓中所占的比例。② 峰點(diǎn)電壓UP，是指單結(jié)晶體管剛開始導(dǎo)通時(shí)的發(fā)射極E與第一基極B1的電壓，其所對應(yīng)的發(fā)射極電流叫做峰點(diǎn)電流IP。③ 谷點(diǎn)電壓UV，是指單結(jié)晶體管由負(fù)阻區(qū)開始進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)的發(fā)射極E與第一基極B1間的電壓，其所對應(yīng)的發(fā)射極電流叫做谷點(diǎn)電流IV。

　　[4] 單結(jié)晶體管共有三個(gè)管腳，分別是：發(fā)射極E、第一基極B1和第二基極B2。圖示為兩種典型單結(jié)晶體管的管腳電極。

　　[5] 單結(jié)晶體管最重要的特性是具有負(fù)阻性，其基本工作原理如圖示(以N基極單結(jié)管為例)。當(dāng)發(fā)射極電壓UE大于峰點(diǎn)電壓UP時(shí)，PN結(jié)處于正向偏置，單結(jié)管導(dǎo)通。隨著發(fā)射極電流IE的增加，大量空穴從發(fā)射極注入硅晶體，導(dǎo)致發(fā)射極與第一基極間的電阻急劇減小，其間的電位也就減小，呈現(xiàn)出負(fù)阻特性。

　　[6] 檢測單結(jié)晶體管時(shí)，萬用表置于“R×1k”擋，檢測兩基極間電阻：兩表筆(不分正、負(fù))接單結(jié)晶體管除發(fā)射極E以外的兩個(gè)管腳，讀數(shù)應(yīng)為3～10kΩ。

　　[7] 檢測PN結(jié)正向電阻(N基極管為例，下同)：黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆分別接兩個(gè)基極，讀數(shù)均應(yīng)為數(shù)千歐。對調(diào)兩表筆后檢測PN結(jié)反向電阻，讀數(shù)均應(yīng)為無窮大。如果測量結(jié)果與上述不符，說明被測單結(jié)管已損壞。

　　[8] 測量單結(jié)晶體管的分壓比η：按圖示搭接一個(gè)測量電路，用萬用表“直流10V”擋測出C2上的電壓UC2，再按公式η=UC2/UB計(jì)算即可。

　　[9] 單結(jié)晶體管的基本應(yīng)用是組成脈沖產(chǎn)生電路，包括振蕩器、波形發(fā)生器等，并可使電路結(jié)構(gòu)大為簡化。圖示為單結(jié)晶體管弛張振蕩器。單結(jié)管VT的發(fā)射極輸出鋸齒波，第一基極輸出窄脈沖，第二基極輸出方波。RE與C組成充放電回路，改變RE或C即可改變振蕩周期。該電路振蕩周期T≈REC ln[1/(1-η)]，式中，ln為自然對數(shù)，即以e(2.718)為底的對數(shù)。

　　[10] 單結(jié)晶體管還可以用作晶閘管觸發(fā)電路。圖示為調(diào)光臺(tái)燈電路。在交流電的每半周內(nèi)，晶閘管VS由單結(jié)管VT輸出的窄脈沖觸發(fā)導(dǎo)通，調(diào)節(jié)RP便改變了VT輸出窄脈沖的時(shí)間，即改變了VS的導(dǎo)通角，從而改變了流過燈泡EL的電流，實(shí)現(xiàn)了調(diào)光的目的。

　　[11] 晶體閘流管簡稱為晶閘管，也叫做可控硅，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的功率型半導(dǎo)體器件。常見的晶閘管有塑封式、陶瓷封裝式、金屬殼封裝式和大功率螺栓式等形狀。晶體閘流管可分為：單向晶閘管、雙向晶閘管、可關(guān)斷晶閘管等多種。

　　[12] 晶體閘流管的文字符號(hào)為“VS”，圖形符號(hào)如圖示。晶閘管的主要參數(shù)有：額定通態(tài)平均電流、正反向阻斷峰值電壓、維持電流、控制極觸發(fā)電壓和電流等。使用時(shí)應(yīng)注意不能超過其極限參數(shù)指標(biāo)，并留有一定余量，以免造成器件損壞。

　　[13] 晶閘管具有三個(gè)電極。單向晶閘管的三個(gè)電極是：陽極A、陰極K、控制極G。雙向晶閘管的三個(gè)電極是：兩個(gè)主電極T1、T2以及控制極G。使用中應(yīng)注意識(shí)別。

　　[14] 晶閘管具有可控的單向?qū)щ娦裕床坏哂幸话愣O管單向?qū)щ姷恼髯饔?，而且可以對?dǎo)通電流進(jìn)行控制。單向晶閘管是PNPN四層結(jié)構(gòu)，形成三個(gè)PN結(jié)，具有三個(gè)外電極A、K和G，可等效為PNP、NPN兩晶體管組成的復(fù)合管，見圖14左邊。在A、K間加上正向電壓后，管子并不導(dǎo)通。此時(shí)在控制極G加上正電壓時(shí)，VT1、VT2相繼迅速導(dǎo)通，此時(shí)即使去掉控制極電壓，管子仍維持導(dǎo)通狀態(tài)。雙向晶閘管可以等效為兩個(gè)單向晶閘管反向并聯(lián)，見圖14右邊，雙向晶閘管可以控制雙向?qū)?，因此除控制極G外的另兩個(gè)電極不再分陽極陰極，而稱之為主電極T1、T2。

　　[15] 檢測單向晶閘管：萬用表置于“R×10Ω”擋，黑表筆接控制極G，紅表筆接陰極K，測量其正向電阻，應(yīng)有較小的阻值。對調(diào)兩表筆測其反向電阻，應(yīng)比正向電阻明顯大一些。測量控制極G與陽極A之間的正、反向電阻，均應(yīng)為無窮大。這是因?yàn)镚、A間為兩個(gè)PN結(jié)反向串聯(lián)，不論正、反向均不應(yīng)導(dǎo)通，否則晶閘管已壞。

　　[16] 檢測雙向晶閘管：萬用表置于“R×1Ω”擋，兩表筆測量控制極G與主電極T1間的正、反向電阻，均應(yīng)為較小阻值。測量控制極G與主電極T2間的正、反向電阻，均應(yīng)為無窮大。

　　[17] 檢測單向晶閘管導(dǎo)通特性：萬用表置于“R×1Ω”擋，黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，表針指示應(yīng)為無窮大。用螺絲刀等金屬物將控制極G與陽極A短接一下(短接后即斷開)，表針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)并保持在十幾歐姆處。檢測雙向晶閘管導(dǎo)通特性：黑表筆接主電極T1，紅表筆接主電極T2，表針指示應(yīng)為無窮大。將控制極G與主電極T2短接一下，表針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)并保持在十幾歐姆處。如不符合上述情況則說明晶閘管已損壞。

　　[18] 晶閘管具有以小電流(電壓)控制大電流(電壓)的作用，并具有體積小、重量輕、功耗低、效率高、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)，在無觸點(diǎn)開關(guān)、可控整流、逆變、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)速等方面得到廣泛的應(yīng)用。圖示為晶閘管無觸點(diǎn)開關(guān)控制的報(bào)警器電路，當(dāng)探頭檢測到異常情況時(shí)，輸出一正脈沖至控制極G，晶閘管VS導(dǎo)通使報(bào)警器報(bào)警，直至有關(guān)人員到場并切斷開關(guān)S才停止報(bào)警。

　　[19] 雙向晶閘管可以用作交流調(diào)壓器。圖示電路中，RP、R和C組成充放電回路，C上電壓作為雙向晶閘管VS的觸發(fā)電壓。調(diào)節(jié)RP可改變C的充電時(shí)間，也就改變了VS的導(dǎo)通角，達(dá)到交流調(diào)壓的目的。

　　[20] 普通晶閘管導(dǎo)通后控制極即不起作用，要關(guān)斷必須切斷電源，使流過晶閘管的正向電流小于維持電流。可關(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷，當(dāng)控制極G加上正脈沖電壓時(shí)晶閘管導(dǎo)通，當(dāng)控制極G加上負(fù)脈沖電壓時(shí)晶閘管關(guān)斷。